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當絕緣介質(zhì)處理良好時（干燥、清潔、無氣泡）在外施電壓作用下，電場強度與tgδ之間在一定電壓以下近似水平直線關(guān)系，而且電壓上升和下降過程中測得tgδ值是重合的。

過了這一段，電壓再增高時，tgδ的增長加快，而曲線向上彎曲。如果再增高電壓，曲線更快向上彎曲，這是由于介質(zhì)中出現(xiàn)了局部放電的原因（圖3-9曲線1）。

如果絕緣中殘留有氣泡或產(chǎn)品設(shè)計不盡合理，存在有場強集中的部位，因而在較低電壓下氣泡和高電場部位就形成局部放電，tgδ與電壓的特性曲線較早向上彎曲，由于終止放電電壓低于起始電壓，電壓上升及下降過程中測得的tg曲線在右半部變成不相重合，見圖4-5中曲線2。

當絕緣老化時在低電壓下tg值反而比良好絕緣時要小，但隨著電壓的升高tgδ開始增長時的電壓比較低，曲線較早地向上彎曲（圖4-5曲線3）。老化了絕緣比較易吸潮，一旦吸潮，tgδ在低電壓時就升得很高，隨著電壓的上升迅速增大，電壓下降時的tgδ曲線在上升曲線的上方而不閉合。（圖3-9曲線4）。